正在美举行的FlashMemorySummit首日早已完结，亮点颇多。Keynote环节，倒数第二个出场（分列在我国的长江存储前）的是SK海力士，它在NAND市场的全球份额名列第五，DRAM份额全球第二。
首先是3DNAND的技术路线自由选择，SK海力士称之为，CTF（ChargeTrapFlash，电荷捕捉型）比FloatingGate（浮栅型）存储单元面积更加小、速度更加慢、更加轻巧（P／E次数多）。只不过三星从2013年的第一代V－NAND3D存储器就开始用于CTF了，东芝／西数（闪迪）的BiCS亦是如此。当然，美光／Intel还是坚决浮栅，不过这推倒无所谓，却是他们有更加得意的3DXpoint（基于热力学内存，还一说是ReRAM磁阻式内存）。
接下来，SK海力士宣告发售了全球首款4D存储器。从现场得出的技术展示来看，4D存储器和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri．Circuits）在存储单元下方，益处有三点，一是芯片面积更加小、二是处置工时延长、三是成本减少。
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